机译:DRAM中使用的对温度不敏感的自充电电路
机译:用于低压DRAM的电荷转移预感,负预充电字线和对温度不敏感的上电方案
机译:低压DRAM的电荷转移保留,负预充电字线和温度不敏感上电方案
机译:DDR3 DRAM中共享电路产生的噪声的定量分析
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:CLR-DRAM:低成本的DRAM架构,可实现动态容量延迟权衡
机译:来自韩国的DRam和DRam模块。调查编号701-Ta-431(最终版)